Компания TSMC рассматривает возможность выхода на рынок микросхем памяти для искусственного интеллекта по запросу Nvidia

iXBT.com ·

Компания TSMC рассматривает возможность выхода на рынок микросхем памяти для искусственного интелле…

Тайваньская компания TSMC разрабатывает планы по производству передовых чипов памяти и начала работу над архитектурой 3D-DRAM по прямому запросу Nvidia, своего крупнейшего заказчика. Это решение позволит мировому лидеру по производству процессоров расширить долю в цепочке поставок оборудования для искусственного интеллекта. Проект возглавляет вице-президент Сю Кво-чин, отвечающий за технологии продвинутой упаковки компонентов.

Новая технология предполагает вертикальную укладку ячеек памяти друг на друга, что позволяет значительно увеличить плотность хранения данных без роста площади кристалла. Для запуска производства TSMC может построить новые заводы или приобрести существующие предприятия и переоборудовать их под нужды новых чипов. В компании и в Nvidia не комментируют детали стратегии, однако информация подтверждается несколькими источниками, включая Bloomberg и Reuters.

Рынок памяти находится в состоянии острого дефицита из-за взрывного роста спроса со стороны центров обработки данных для ИИ, что привело к резкому росту цен. Ожидается, что нехватка чипов сохранится как минимум до 2028 года, согласно прогнозам компании Micron. Высокая стоимость памяти уже вынуждает производителей техники повышать цены на устройства: так, Apple недавно увеличила стоимость MacBook и iPad. В ответ на ситуацию некоторые клиенты стремятся обеспечить собственную независимую поставку, как планирует Илон Маск, строящий завод за $55 млрд для снижения зависимости от Micron.

Выход TSMC на рынок памяти означает прямую конкуренцию с такими гигантами, как Samsung, SK Hynix и Micron. Корейская компания SK Hynix, например, планирует инвестировать $720 млрд в расширение производственных мощностей. При этом TSMC уже активно интегрируется в сегмент памяти: ранее Nvidia поручила конкурентам создавать базовый слой её собственной высокоскоростной памяти HBM на основе 3-нанометрового техпроцесса TSMC. Самостоятельное производство DRAM позволит тайваньскому гиганту контролировать весь цикл создания сложных ИИ-систем.

Источник: iXBT.com