Китай бросает вызов трем гигантам памяти: CXMT готовит технологию, которой у Samsung пока нет
iXBT.com · · g1796236
Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) планирует до конца 2026 года представить серверные модули DDR5 RDIMM с архитектурой ячеек 4F². Если компания выполнит обещание, она опередит Samsung примерно на два года: южнокорейский производитель рассчитывает внедрить аналогичную технологию в 2028 году. Об этом рассказал президент CXMT Цао Каньюй на конференции Integrated Chip and Chiplet Conference в Шанхае.
Китайский производитель памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) планирует до конца 2026 года представить серверные модули DDR5 RDIMM с архитектурой ячеек 4F². Если компания выполнит обещание, она опередит Samsung примерно на два года: южнокорейский производитель рассчитывает внедрить аналогичную технологию в 2028 году. Об этом рассказал президент CXMT Цао Каньюй на конференции Integrated Chip and Chiplet Conference в Шанхае.
Модули RDIMM предназначены для серверов, центров обработки данных и высокопроизводительных вычислительных систем. Архитектура 4F² позволяет уменьшить площадь одной ячейки DRAM по сравнению с традиционной конструкцией 6F². Теоретически это сокращает площадь ячейки примерно на треть и дает возможность разместить больше памяти на одном кристалле. Предполагаемый прирост плотности составляет 30–50%.
CXMT работает над архитектурой 4F² с 2021 года. По предварительным данным, новая память может сочетаться с технологическим процессом G5 DRAM класса 15 нм. При этом первые продукты могут использовать лишь отдельные элементы архитектуры.
Параллельно компания развивает технологию High-k Metal Gate (HKMG), которая помогает уменьшать токи утечки и энергопотребление транзисторов. Она предполагает использование диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (например, оксида гафния) в сочетании с металлическими затворами.
К концу 2026 года CXMT рассчитывает довести производственные мощности до 300 тысяч 300-миллиметровых кремниевых пластин в месяц. Компания также развивает выпуск памяти HBM для ускорителей искусственного интеллекта и строит новые предприятия в Шанхае и Хэфэе. В перспективе совокупная мощность может достичь 600 тысяч пластин в месяц, а некоторые прогнозы допускают, что к 2030 году CXMT обойдет Micron по объемам производства. Эти оценки зависят от доступности оборудования, выхода годных чипов и спроса.
Samsung разрабатывает собственную реализацию 4F² в рамках технологического процесса D0a, ранее известного как B1b. Компания планирует использовать гибридное соединение отдельных пластин с массивом ячеек памяти и управляющей логикой. Такой подход позволяет повысить плотность размещения компонентов, но требует сложного оборудования и может увеличить себестоимость производства. Серийный выпуск памяти с применением этой технологии ожидается в 2028 году.
На рынке DRAM по-прежнему доминируют Samsung, SK hynix и Micron, но CXMT последовательно сокращает технологическое отставание.