ИКТ МФТИ прошёл мониторинговый визит экспертов по крупному научному проекту в области печатной микроэлектроники

МФТИ — Московский физико-технический институт ·

ИКТ МФТИ прошёл мониторинговый визит экспертов по крупному научному проекту в области печатной микр…

В Институте квантовых технологий МФТИ состоялся мониторинговый визит экспертов ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ — Дмитрия Беликова, канд. техн. наук, и Дмитрия Громова, д-р техн. наук, — по контролю результатов исследований, полученных в институте по крупному научному проекту «Аддитивное формирование активных элементов микроэлектроники методами печати». В ходе визита исследователи Института квантовых технологий продемонстрировали применяемые в работе материалы и вещества, а также технологическое и измерительное оборудование, используемое при выполнении исследований по проекту. Экспертам представлены все процессы технологического маршрута формирования печатных транзисторов, а также массивы образцов напечатанных транзисторов с полупроводниковыми каналами на основе УНТ и IGZO. Старший научный сотрудник Иван Волков демонстрирует исходные материалы для приготовления чернил для печати полупроводниковых каналов УНТ и IGZO Директор Института квантовых технологий Виктор Иванов представляет уникальный принтер сухой аэрозольной печати, разработанный МФТИ, используемый исследователями для печати электродов транзисторов Заведующий лабораторией Анна Лизунова демонстрирует чипы с массивами транзисторов с полупроводниковыми каналами УНТ и IGZO, изготовленных методами печати в рамках Проекта Исследователь Илья Егельский и заведующий лабораторией печатной и кремниевой электроники Алексей Ефимов демонстрируют печать чернильным аэрозольным принтером, разработанным в МФТИ, полупроводниковых каналов IGZO Чипы с массивами транзисторов с полупроводниковыми каналами IGZO, напечатанными чернильным аэрозольным принтером, разработанным в МФТИ Аспирант Дарья Казаринова демонстрирует печать полупроводникового канала транзистора на струйном принтере В аналитической лаборатории: зондовые измерения параметров транзисторов, элементный и спектральный анализ материалов Исследователь Мария Керечанина производит измерения параметров транзисторов на зондовой станции Фото с ведущими учеными Проекта у монумента основателям МФТИ перед корпусом Микроэлектроники Фото с ведущими учеными Проекта на фоне корпуса Микроэлектроники МФТИ

Источник: МФТИ — Московский физико-технический институт