Карбид кремния переходит на новый формат: Infineon изготовила рабочие чипы из карбида кремния на 300-миллиметровых пластинах
iXBT.com ·
Немецкая Infineon Technologies объявила о важном достижении в производстве силовых полупроводников: компания изготовила работающие чипы из карбида кремния (SiC) на кремниевых пластинах диаметром 300 мм. Испытания прошли на заводе в австрийском Филлахе с использованием оборудования, которое уже применяется для выпуска обычных кремниевых микросхем. По заявлению компании, это первая подобная демонстрация в условиях полноценного промышленного производства. Переход на более крупные пластины позволит получать с одной заготовки в 2,3 раза больше чипов по сравнению с нынешним форматом 200 мм.
Параллельно Infineon проверила технологию Cold Split на 300-миллиметровых пластинах из карбида кремния на предприятии в Дрездене. Она позволяет отделять пластины от исходного кристалла быстрее и с меньшими потерями материала, чем традиционная резка. В сочетании с возможностью использовать существующее производственное оборудование, это может снизить затраты и упростить масштабирование выпуска. Пока компания намерена продолжить разработку технологии и обсудить с партнёрами сроки её внедрения в серийное производство, не отказываясь при этом от развития линии пластин формата 200 мм.
Силовые компоненты на основе карбида кремния востребованы в электромобилях, зарядных станциях, системах накопления энергии и промышленном оборудовании. Они позволяют эффективнее преобразовывать электричество, выдерживают высокие напряжения и температуры. Ещё одно перспективное направление — дата-центры для искусственного интеллекта, где такие чипы могут использоваться в источниках питания, твердотельных трансформаторах и автоматических выключателях.